王陽元，1935年1月生，浙江寧波人。微納電子學戰略科學家、教育家，中國科學院院士，北京大學教授。1958 年畢業于北京大學物理系，同年留校任教。至今已培養碩士、博士和博士后研究人員余百名。1978 年獲全國科學大會獎，1991 年獲國家教委科技進步一等獎，2007 年獲國家技術發明二等獎，2008 年獲國家科技進步二等獎等 19 項國家級和部委級獎勵。曾任北京大學微電子學研究院院長、微電子學系主任，全國 ICCAD 專家委員會主任、ICCAT 專家委員會主任和全國集成電路產品開發專家委員會主任，中芯國際集成電路制造有限公司董事長，中國電子學會副理事長。現任北京大學集成電路學院名譽院長，北京集成電路學會名譽會長，IEEE Life Fellow 和 IEE Fellow 等。
王陽元長期從事微電子學新器件、新工藝和新結構電路的研究。已發表科研論文 300 余篇，出版著作 14 部，取得發明專利授權 130 余項，擁有 20 項重大科技成果。王陽元主持研究成功我國第一塊 1024 位 MOS DRAM，并在此基礎上系統開展了多晶硅薄膜物理和 MOS 絕緣層物理的研究，推動 MOS 集成電路技術的發展；主持建設了我國第一個國家級微米 / 納米加工技術重點實驗室，為我國 MEMS 技術發展作出了重要貢獻；領導研制成功了我國第一個大型集成化的 ICCAD 系統，為我國集成電路設計業的發展打下了重要技術基礎；與海外同行創建了中芯國際集成電路制造有限公司，成為我國集成電路產業發展中新的里程碑；領導建設成功了我國第一條 12 英寸納米級集成電路生產線，使我國集成電路大生產技術水平處于國際水平。為我國集成電路科技與產業的發展做出了卓越的貢獻。
更新時間：2025年3月
